据一些韩国媒体爆料，据说中国长鑫存储已经在秘密研发一项技术，它可以绕开阿斯麦的 EUV光刻机，只依赖DUV光刻机就可以制造出尖端的DRAM，如果这个消息属实，那对于中国半导体行业来说，无疑是一个利好消息。
这里面至少可以释放两个信号。
一个是我们可以绕开卡脖子技术，利用现有的设备和技术就可以造出尖端的芯片，不用看别人脸色行事。
二个是如果真的能用DUV光刻机制造出尖端的芯片，那就可以减少甚至不用采购EUV光刻机，如此一来整体生产成本会明显下降了，毕竟目前EUV光刻机的造价是非常昂贵的，一台达到几亿美元，平摊到每块芯片成本上是比较高的。
这对于存储芯片一直涨价来说无疑是一个利好消息，如果能够节省设备端的成本，那在价格弹性上面就有更大的空间，中国的存储芯片或许会有更大的性价比。
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